[发明专利]发光二极管及其制造方法

摘要

一种发光二极管，包括第一电极、第二电极以及磊晶结构，所述磊晶结构设置在所述第一电极上且分别与所述第一电极、第二电极电性连接，所述第二电极环绕所述磊晶结构的周缘侧向，以将所述磊晶结构周缘侧向的光线反射集中自磊晶结构的顶部出射。本发明还涉及这种发光二极管的制造方法。本发明的发光二极管及其制造方法，有效地解决了由于电极的反射而导致的发光二极管发光效率降低的问题。

主权项

一种发光二极管，包括第一电极、第二电极以及磊晶结构，其特征在于：所述磊晶结构设置在所述第一电极上且分别与所述第一电极、第二电极电性连接，所述磊晶结构包括依序设置在所述第一电极的上表面的第一型半导体层、活性层以及第二型半导体层，所述第一型半导体层与所述第一电极的上表面直接接触，所述第二电极包括基部以及自所述基部的上表面向上延伸的延伸部，所述基部环绕所述第一电极，所述延伸部环绕所述磊晶结构的周缘侧面，以反射所述磊晶结构朝向周缘侧向的光线并使该反射光线自磊晶结构的顶部出射，其中，所述延伸部的底端的内周缘与所述第一型半导体层外周缘以及所述活性层的外周缘间隔设置，从而形成第二环形槽，所述第二环形槽的高度由所述基部的上表面以及所述第二型半导体层的下表面共同界定，所述第二环形槽的宽度由所述第一型半导体层的外周缘、所述活性层的外周缘以及所述延伸部的底端的内周缘共同界定，所述延伸部的顶端的内周缘与所述第二型半导体层直接接触。