[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置有效
| 申请号： | 201410441698.0 | 申请日： | 2014-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN104218095A | 公开（公告）日： | 2014-12-17 |
| 发明（设计）人： | 蔡振飞;陈正伟 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管，包括：有源层、刻蚀阻挡层、源电极和漏电极，其中：刻蚀阻挡层设置于有源层的上方，且刻蚀阻挡层中形成有多个过孔；源电极和漏电极设置于刻蚀阻挡层的上方，且所述源电极和漏电极利用刻蚀阻挡层中的多个过孔，通过所述有源层连接。本发明同时还公开了一种薄膜晶体管的制备方法、阵列基板和显示装置。本发明采用了多沟道设计，利用并联的多个子开关解决有源层缺失导致的DGS问题，从而保证了像素的正常工作，进而提高了产品的良率和使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：有源层、刻蚀阻挡层、源电极和漏电极，其中：所述刻蚀阻挡层设置于所述有源层的上方，且所述刻蚀阻挡层中形成有多个过孔；所述源电极和漏电极设置于所述刻蚀阻挡层的上方，且所述源电极和漏电极利用所述刻蚀阻挡层中的多个过孔，通过所述有源层连接。
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