[发明专利]半导体生产中关键尺寸的控制方法

摘要

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体生产中关键尺寸的控制方法。包括提供一半导体衬底，于半导体衬底的表面旋涂一层光阻，并采用具有目标图形的光罩对光阻进行曝光后，以在光阻上形成保留区域；采用一辅助光罩对光阻再次进行曝光，以对保留区域的图形进行修正；其中，辅助光罩与保留区域水平方向的相对位置为一固定的位置参数；对光阻进行显影工艺后，以于晶圆上形成具有目标图形的光阻层。通过本发明的方法，利用设计一层辅助光罩，并修正两层光罩之间的重叠参数，能够在32nm或跟高级的制程下，有效克服光学临近效应所照成的特征尺寸差距过大的问题，能有效将特征尺寸差距控制在1nm之内。

主权项

一种半导体生产中关键尺寸的控制方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S1：提供一半导体衬底，于所述半导体衬底的表面旋涂一层光阻，并采用具有目标图形的光罩对所述光阻进行曝光后，以在所述光阻上形成保留区域，所述目标图形包括若干图形单元；步骤S2：采用一辅助光罩对所述光阻再次进行曝光，以在对位于所述保留区域边缘位置的所述图形单元进行修正后，使得位于边缘位置的图形单元之间的尺寸差值小于一预定值；其中，所述辅助光罩与所述保留区域水平方向的相对位置为一固定的位置参数；步骤S3：对所述光阻进行显影工艺后，以于所述半导体衬底上形成具有目标图形的光阻层；步骤S4：重新选取一所述辅助光罩与所述保留区域水平方向的位置参数，执行步骤S1至S3，并获得一与该位置参数对应的所述保留区域边缘位置的所述图形单元之间的尺寸差值；步骤S5：重复步骤S4，获取至少两组数据，对所述辅助光罩与所述保留区域水平方向的位置参数值与所述保留区域边缘位置的图形单元之间的尺寸差值之间建立数学模型；步骤S6：通过所述数学模型，获取所述预定值对应的位置参数值。