[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置有效
| 申请号： | 201410397694.7 | 申请日： | 2014-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN104218092B | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 孙建;樊君 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L23/552;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 彭瑞欣,陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置。该薄膜晶体管包括栅极、有源区、源极和漏极，栅极设置在有源区的上方，源极和漏极分设在有源区的相对两侧，有源区采用低温多晶硅材料，还包括非金属遮光层，非金属遮光层设置在有源区的下方，且在正投影方向上与有源区至少部分重叠，非金属遮光层能对全波段可见光的背光进行遮挡。该薄膜晶体管通过设置非金属遮光层，能使照射到有源区上的部分背光光线被遮挡住，从而使薄膜晶体管的漏电流降低，同时，由于非金属遮光层不会产生寄生电容，因此针对双栅结构的薄膜晶体管，不再需要将非金属遮光层分隔为面积较小的两个小片，还能够确保采用该薄膜晶体管的显示产品的良率更高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括栅极、有源区、源极和漏极，所述栅极设置在所述有源区的上方，所述源极和所述漏极分设在所述有源区的相对两侧，所述有源区采用低温多晶硅材料，其特征在于，还包括非金属遮光层，所述非金属遮光层设置在所述有源区的下方，且在正投影方向上与所述有源区至少部分重叠，所述非金属遮光层能对全波段可见光的背光进行遮挡；所述非金属遮光层采用一维光子晶体光学薄膜，所述一维光子晶体光学薄膜包括相互覆叠的第一膜层和第二膜层；所述第一膜层采用TiO2材料，所述第二膜层采用SiO2材料。
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