[发明专利]判定异常短接位置的电压衬度方法在审
| 申请号： | 201410392715.6 | 申请日： | 2014-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN104316813A | 公开（公告）日： | 2015-01-28 |
| 发明（设计）人： | 马香柏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/02 | 分类号： | G01R31/02;G01R31/308 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种判定异常短接位置的电压衬度方法，包含如下步骤：选取样品，将样品研磨至怀疑的层次；对怀疑区域多次扫描并相应存储电压衬度照片，观察目标区域内，有无电压衬度表现异常的单个区域，以及有无跟随变化的两块或多块区域；对观察到有异常的单个或多个区域，采用短接到地的方式，放大电压衬度像的异常程度，找到怀疑短接点；明确短接点之后，采用聚焦离子束断面观察、透射电镜样品制样方式进行制样，观察短接处成分。通过上述方法能快速准确判断集成电路存在异常短接的位置及发生短接的成因，提高集成电路失效分析的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 判定 异常 位置 电压 方法 | ||
【主权项】：
一种判定异常短接位置的电压衬度方法，其特征在于：包含如下步骤：第一步，选取样品，将样品研磨至怀疑的层次；第二步，对怀疑层次的怀疑区域进行多次扫描拍摄并相应存储电压衬度照片；观察目标区域内，有无电压衬度表现异常的单个区域，或者有无跟随变化的两块或多块区域；第三步，对观察到有异常的单个区域，或两个及以上的多个区域，采用短接到地的方式，放大电压衬度成像的异常程度，找到怀疑短接点；第四步，明确短接点之后，采用聚焦离子束断面观察、透射电镜样品制样方式进行制样，观察短接处成分。
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