[发明专利]兼容CMOS制程的肖特基二极管的制造方法

摘要

本发明公开了一种兼容CMOS制程的肖特基二极管的制造方法，包括步骤在硅衬底上形成N型硅外延层；采用光刻工艺选定形成肖特基二极管的金属极的区域；进行硅注入将金属极的形成区域的所述N型硅外延层非晶化；采用高温钛溅射工艺在金属极的形成区域形成一层钛层；对钛层进行第一次快速热退火处理并形成C‑49相位的钛硅合金；进行第二次快速热退火处理将钛硅合金转变为C‑54相位。本发明能降低器件的漏电流，提高器件的性能，能和CMOS制程良好兼容。

主权项

一种兼容CMOS制程的肖特基二极管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在硅衬底上形成N型硅外延层，N型硅外延层的掺杂浓度满足作为肖特基二极管的半导体极的条件；步骤二、采用光刻工艺选定形成肖特基二极管的金属极的区域；步骤三、对选定的所述金属极的形成区域进行硅注入，该硅注入将所述金属极的形成区域的所述N型硅外延层非晶化；步骤四、采用钛溅射工艺在所述金属极的形成区域形成一层钛层；所述钛溅射工艺的温度根据所述肖特基二极管的漏电特性的要求进行设置，通过升高所述钛溅射工艺的温度来降低所述肖特基二极管的漏电；步骤五、对所述钛层进行第一次快速热退火处理，所述第一次快速热退火处理使所述钛层和非晶化的硅反应形成C‑49相位的钛硅合金；步骤六、进行第二次快速热退火处理将所述钛硅合金从C‑49相位转变为C‑54相位；所述第二次快速热退火处理的温度在保证大于从C‑49相位到C‑54相位的转变温度的条件下根据所述肖特基二极管的漏电特性的要求进行设置，通过降低所述第二次快速热退火处理的温度来降低所述肖特基二极管的漏电；由所述第二次快速热退火处理后的所述钛硅合金和其底部的所述N型硅外延层相接触形成所述肖特基二极管。