[发明专利]结晶化的硅的检测方法及装置在审
| 申请号： | 201410347986.X | 申请日： | 2014-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN104299926A | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | 金利京;金钟勋;李尹炯;成俊济;赵晑婌;金暻隋;金度宪;金昶洙 | 申请（专利权）人： | 科美仪器公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 许向彤;陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及适用于低温多晶硅工序的激光结晶化的硅的检测方法。本发明公开通过准分子激光退火技术，考虑由设在绝缘基板上的结晶化的硅的表面的突起的形状及大小引起的米氏散射或瑞利散射现象的特性来检测结晶化的硅的表面的结晶质量的结晶化的硅的检测方法及装置。本发明的结晶化的硅的检测装置，通过低温多晶硅工序检测由非晶硅转换而成的结晶化的硅，其特征在于，包括：工作台，用于放置结晶化的硅；光源，向结晶化的上述硅的表面照射入射光；照相机，捕捉在上述入射光所照射的结晶化的硅的表面因突起的形状而反射出的散射光的颜色及亮度变化；以及判别部，通过分析由上述照相机捕捉到的图像，来判别是否不合格。 | ||
| 搜索关键词： | 结晶 检测 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种结晶化的硅的检测装置，通过低温多晶硅工序检测由非晶硅转换而成的结晶化的硅，其特征在于，包括：工作台，用于放置结晶化的硅；光源，向结晶化的上述硅的表面照射入射光；照相机，捕捉在上述入射光所照射的结晶化的硅的表面因突起的形状而反射出的散射光的颜色及亮度变化，上述照相机设在上述散射光和结晶化的硅的表面呈10～30°的位置；以及判别部，通过分析由上述照相机捕捉到的图像，来判别是否不合格。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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