[发明专利]钙钛矿薄膜及太阳能电池的制作方法有效
| 申请号： | 201410336544.5 | 申请日： | 2014-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN105304821B | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 陈立桅;陈雷;唐峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L51/48 | 分类号： | H01L51/48;H01L51/46 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种钙钛矿薄膜的制作方法，包括步骤s1、在第一基底上形成第一膜层，所述第一膜层的材质选自卤化铅、卤化锡中的一种或多种的混合物；s2、在第二基底上形成第二膜层，所述第二膜层的材质选自甲胺卤、乙胺卤、甲脒卤的一种或多种的混合物；s3、将第一膜层和第二膜层相向贴合，加热后获得钙钛矿薄膜。本申请还公开了一种太阳能电池的制作方法。本发明采用双层热扩散技术，利用甲胺卤、乙胺卤、或甲脒卤在热的作用下向卤化铅或卤化锡中扩散，生成钙钛矿的原理，制备高质量的钙钛矿膜层，得到的膜层表面光滑，孔隙少，致密度高。另外，本发明提高了反应速率，降低了反应时间，提高了生产速率。 | ||
| 搜索关键词： | 钙钛矿 薄膜 太阳能电池 制作方法 | ||
【主权项】：
一种钙钛矿薄膜的制作方法，其特征在于，包括步骤：s1、在第一基底上形成第一膜层，所述第一膜层的材质选自卤化铅、卤化锡中的一种或多种的混合物；s2、在第二基底上形成第二膜层，所述第二膜层的材质选自甲胺卤、乙胺卤、或甲脒卤中的一种或多种的混合物；s3、将第一膜层和第二膜层相向贴合，加热后获得钙钛矿薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，未经中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410336544.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
