[发明专利]浮栅的制作方法

摘要

本申请提供了一种浮栅的制作方法。该制作方法包括：提供半导体基底，半导体基底具有存储单元区和外围电路区，存储单元区具有第一STI和第一有源区，外围电路区具有最小宽度≥A的第二STI和第二有源区以及最小宽度＜A的第三STI和第三有源区；在半导体基底上沉积多晶硅，形成第一多晶硅层；在位于第二有源区的第一多晶硅层上形成多晶硅保护层；在裸露的第一多晶硅层表面上、多晶硅保护层表面上沉积多晶硅，形成第二多晶硅层；对第二多晶硅层与第一多晶硅层进行CMP至第一STI与第三STI裸露；对CMP后的第一多晶硅层与多晶硅保护层进行回刻；以及去除多晶硅保护层。该方法避免了第二有源区处凹陷的产生，去除残留多晶硅的效果。

主权项

1.一种浮栅的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：步骤S1，提供半导体基底，所述半导体基底具有存储单元区和外围电路区，所述存储单元区具有第一STI和第一有源区，所述外围电路区具有最小宽度≥A的第二STI和第二有源区以及最小宽度＜A的第三STI和第三有源区；步骤S2，在所述半导体基底上沉积多晶硅，形成第一多晶硅层；步骤S3，在位于所述第二有源区的所述第一多晶硅层上形成多晶硅保护层；步骤S4，在裸露的所述第一多晶硅层表面上、所述多晶硅保护层表面上沉积多晶硅，形成第二多晶硅层；步骤S5，对所述第二多晶硅层与所述第一多晶硅层进行CMP至所述第一STI与所述第三STI裸露；步骤S6，对CMP后的所述第一多晶硅层与所述多晶硅保护层进行回刻；以及步骤S7，去除所述多晶硅保护层，所述步骤S3包括：步骤S31，在所述第一多晶硅层上沉积多晶硅预保护层；步骤S32，在位于所述第二有源区的多晶硅预保护层上形成光刻胶掩膜；步骤S33，刻蚀去除裸露的所述多晶硅预保护层；以及步骤S34，去除所述光刻胶掩膜。