[发明专利]发光器件有效
| 申请号： | 201410305809.5 | 申请日： | 2010-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN104112801A | 公开（公告）日： | 2014-10-22 |
| 发明（设计）人： | 丁焕熙;李尚烈;宋俊午;崔光基 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/38;H01L33/44 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陆弋;王伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种发光器件，包括：金属层；包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层的发光结构；布置在第二导电型半导体层的第一上部分上的电极；布置在第二导电型半导体层的第二上部分上的电流扩展部；布置在第一导电型半导体层下方的粘附层；布置在电极和粘附层之间的绝缘层；布置在发光结构的倾斜表面上及至少一个上表面上的钝化层；布置在金属层和第一导电型半导体层之间的反射层，其中，电极具有包括Au的第一层并接触电流扩展部，电极的上表面具有第一粗糙部，第二导电型半导体层的上表面具有第二粗糙部，且电流扩展部具有倾斜表面。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：金属层；发光结构，所述发光结构包括第一导电型半导体层、有源层、以及第二导电型半导体层；电极，所述电极布置在所述第二导电型半导体层的第一上部分上；电流扩展部，所述电流扩展部布置在所述第二导电型半导体层的第二上部分上；粘附层，所述粘附层布置在所述第一导电型半导体层下方；绝缘层，所述绝缘层布置在所述电极和所述粘附层之间；钝化层，所述钝化层布置在所述发光结构的倾斜表面上并布置在所述发光结构的至少一个上表面上；反射层，所述反射层布置在所述金属层和所述第一导电型半导体层之间，其中，所述电极具有包括Au的第一层，其中，所述电极接触所述电流扩展部，并且所述电极的上表面具有第一粗糙部，其中，所述第二导电型半导体层的上表面具有第二粗糙部，并且其中，所述电流扩展部具有倾斜表面。
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