[发明专利]一种ZnO量子阱微腔结构的激子极化激元激光器件有效
| 申请号： | 201410291731.6 | 申请日： | 2014-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN104092097B | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 宿世臣;张红艳;赵灵智;何苗 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01S5/347 | 分类号： | H01S5/347;H01S5/125 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人： | 邱奕才,汪晓东 |
| 地址： | 510631 *** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种ZnO量子阱微腔结构的激子极化激元激光器件，所述ZnO量子阱微腔结构以介质膜为分布布拉格反射镜结构下层，以ZnO/ZnMgO量子阱为有源层，以氮化物为分布布拉格反射镜结构上层。本发明实现了在室温条件下的超低阈值激子极化激元激光。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 zno 量子 阱微腔 结构 激子 极化 激光 器件 | ||
【主权项】：
一种ZnO量子阱微腔结构的激子极化激元激光器件，其特征在于，所述ZnO量子阱微腔结构包括ZnO/Zn1‑xMgxO 单量子阱有源层，位于ZnO/Zn1‑xMgxO单量子阱有源层下方的多层 Al1‑yGayN/AlyGa1‑yN 分布布拉格反射镜结构层，以及位于ZnO/Zn1‑xMgxO 单量子阱有源层上方的多层 SiO2/Si3N4 分布布拉格反射镜结构层，所述ZnO为阱层，所述Zn1‑xMgxO为势垒层；所述Al1‑yGayN层厚度为38~41nm，AlyGa1‑yN层厚度为 44~47 nm；所述有源层中阱层ZnO厚度为4~8nm，势垒层Zn1‑xMgxO厚度为35~45nm；所述SiO2层厚度为40~50nm，Si3N4层厚度为60~70nm；所述x为0.25，所述y为0.8。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南师范大学，未经华南师范大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410291731.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
