[发明专利]栅耦合效率测试结构及测试方法在审
| 申请号： | 201410287029.2 | 申请日： | 2014-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN104037164A | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 于绍欣;刘刚 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示了一种栅耦合效率测试结构及测试方法。所述栅耦合效率测试结构包括：第一测试结构，所述第一测试结构包括形成于衬底上的第一浮栅与第一浮栅上的控制栅；第二测试结构，所述第二测试结构包括形成于衬底上的第二浮栅；所述第一浮栅与第二浮栅结构相同，所述衬底中形成有源漏端。所述测试方法包括：测得第一测试结构的跨导和第二测试结构的跨导，则栅耦合效率＝第二测试结构的跨导/第一测试结构的跨导。利用本发明获得的栅耦合效率数据可靠性高，并且操作简便高效，也能够方便的运用在WAT测试中。 | ||
| 搜索关键词： | 耦合 效率 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种栅耦合效率测试结构，包括：第一测试结构，所述第一测试结构包括形成于衬底上的第一浮栅与第一浮栅上的控制栅；第二测试结构，所述第二测试结构包括形成于衬底上的第二浮栅；所述第一浮栅与第二浮栅结构相同，所述衬底中形成有源漏端。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉新芯集成电路制造有限公司，未经武汉新芯集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410287029.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件
- 下一篇：铜互连结构及铜互连结构的制作方法
