[发明专利]栅耦合效率测试结构及测试方法在审
| 申请号： | 201410287029.2 | 申请日： | 2014-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN104037164A | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 于绍欣;刘刚 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 耦合 效率 测试 结构 方法 | ||
1.一种栅耦合效率测试结构，包括：
第一测试结构，所述第一测试结构包括形成于衬底上的第一浮栅与第一浮栅上的控制栅；
第二测试结构，所述第二测试结构包括形成于衬底上的第二浮栅；
所述第一浮栅与第二浮栅结构相同，所述衬底中形成有源漏端。
2.如权利要求1所述的栅耦合效率测试结构，其特征在于，所述第一测试结构与存储单元结构相同。
3.利用如权利要求1或2所述的栅耦合效率测试结构进行测试的方法，包括：测得第一测试结构的跨导和第二测试结构的跨导，则栅耦合效率＝第二测试结构的跨导/第一测试结构的跨导。
4.如权利要求3所述的栅耦合效率的测试方法，其特征在于，所述第一测试结构的跨导＝(第一测试结构第一电流下的阈值电压－第一测试结构第二电流下的阈值电压)/(第一电流－第二电流)；
第二测试结构的跨导＝(第二测试结构第三电流下的阈值电压－第二测试结构第四电流下的阈值电压)/(第三电流－第四电流)。
5.如权利要求4所述的栅耦合效率的测试方法，其特征在于，所述第一测试结构的阈值电压测试方法包括：
在漏端、控制栅及衬底分别施加电压，源端接地，测试源-漏电流曲线，读取某一电流时栅上的电压，即为这一电流时阈值电压。
6.如权利要求5所述的栅耦合效率的测试方法，其特征在于，所述漏端电压0.1～0.5V，控制栅电压0～9V，衬底电压-6～-8V。
7.如权利要求4所述的栅耦合效率的测试方法，其特征在于，所述第二测试结构的阈值电压测试方法包括：
在漏端、浮栅及衬底分别施加电压，源端接地，测试源-漏电流曲线，读取某一电流时栅上的电压，即为这一电流时阈值电压。
8.如权利要求7所述的栅耦合效率的测试方法，其特征在于，所述漏端电压0.1～0.5V，控制栅电压0～9V，衬底电压-6～-8V。
9.如权利要求5或7所述的栅耦合效率的测试方法，其特征在于，所述电流范围是1E-12A～1E-6A。
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