[发明专利]一种超薄大尺寸有机小分子单晶片层及其高质量底栅顶接触场效应晶体管的制备方法

摘要

一种超薄大尺寸有机小分子单晶及其高质量底栅顶接触场效应管的制备方法。所述单晶制备方法包括采用两步物理气相传输方法在SiO₂基片上生长一种高质量的大尺寸超薄有机小分子单晶，单晶大小可达30-50um，厚度可控制在50-300nm。之后在该单晶上蒸镀金属电极制成底栅顶接触有机小分子单晶场效应管。由于单晶具有极薄的纳米级厚度，大大降低了顶接触器件中由单晶厚度引起的注入电阻。本方法保留了单晶原始生长界面，极大地提高了场效应管器件性能。

主权项

一种超薄大尺寸有机小分子单晶片层的生长方法，包括如下步骤：1)在介电层上生长覆盖度在30％以内的有机小分子单层分子层，在惰性气氛中退火形成纳米晶；2)将纳米晶作为籽晶在管式炉中用物理气相传输方法生长得到径向尺度为数十微米厚度为几十纳米的单晶片层，其中管式炉中的蒸发源采用两步升温法。