[发明专利]形成芯片的钝化膜的方法、芯片的钝化膜的结构及芯片

摘要

一种形成芯片的钝化膜的方法，包括对芯片的芯片侧壁进行沉积Al2O3薄膜处理；对所述芯片的芯片表面和芯片侧壁进行沉积SiNx薄膜处理；根据Al2O3薄膜和沉积SiNx薄膜，获得该芯片的钝化膜；其中，所述芯片侧壁为将晶圆片进行半切获得芯片时切割所在面。本发明还提供一种芯片的钝化膜的结构及芯片。本发明方案通过对芯片的芯片表面进行沉积SiNx薄膜处理，从而SiNx薄膜可以作为芯片的增透膜和钝化膜。通过对所述芯片的芯片侧壁进行沉积Al2O3薄膜和SiNx薄膜处理，从而Al2O3薄膜和SiNx薄膜可以作为芯片的钝化膜。本实施例通过两次沉积钝化膜的方式，既提高芯片出光效率，又提升了其可靠性。

主权项

一种形成芯片的钝化膜的方法，其特征在于，包括：对芯片的芯片侧壁进行沉积Al2O3薄膜处理；对所述芯片的芯片表面和芯片侧壁进行沉积SiNx薄膜处理；根据Al2O3薄膜和沉积SiNx薄膜，获得该芯片的钝化膜；其中，所述芯片侧壁为将晶圆片进行半切获得芯片时切割所在面；对所述芯片侧壁进行沉积Al2O3薄膜处理的方法，包括步骤：对所述芯片进行沉积Al2O3薄膜处理，其中，Al2O3薄膜覆盖中心电极、芯片表面和芯片侧壁；在所述Al2O3薄膜表面涂覆光刻胶，其中，所述光刻胶覆盖中心电极上的Al2O3薄膜、芯片表面上的Al2O3薄膜和芯片侧壁上的Al2O3薄膜；采用套刻方式分别将中心电极和芯片表面的光刻胶显影去除，并将芯片进行烘干；将烘干后的芯片放入Al2O3蚀刻液中，去除中心电极和芯片表面的Al2O3薄膜；将去除中心电极和芯片表面的Al2O3薄膜的芯片进行清洗，并将芯片侧壁上的光刻胶去除。