[发明专利]一种嵌入式锗硅应变PMOS器件结构的制作方法

摘要

本发明公开了一种嵌入式锗硅应变PMOS器件结构的制作方法，通过在对PMOS源漏凹槽区域采用选择性外延生长SiGe前，先对源漏凹槽区域进行金属Ge的注入，并通过退火使Ge和衬底的Si形成SiGe合金，然后，再以SiGe合金作为衬底，在其上采用选择性外延的方法继续生长应变SiGe层，从而避免了在外延生长SiGe时和衬底硅的直接接触，抑制了在SiGe/Si界面处形成缺陷，在确保对PMOS器件的沟道施加适当的应力的同时，又能够抑制由于SiGe/Si界面处存在缺陷而引起的结漏电现象，进而提高PMOS器件的整体电学性能，并可与现有的工艺很好地兼容。

主权项

一种嵌入式锗硅应变PMOS器件结构的制作方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上具有栅极层和侧墙，所述半导体衬底上形成有PMOS源漏凹槽；用光刻胶覆盖除PMOS源漏凹槽区域之外的其他区域；对PMOS源漏凹槽区域进行锗的注入；去除光刻胶并进行退火，以形成应变SiGe合金层；在PMOS源漏凹槽区域继续生长应变SiGe层。