[发明专利]金属互连结构的形成方法有效
| 申请号： | 201410239105.2 | 申请日： | 2014-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN105336663B | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;周俊卿 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴圳添;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种金属互连结构的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成金属层；在所述金属层上形成介质层；在所述介质层中形成接触孔，所述接触孔的底部暴露所述金属层；对所述接触孔的侧壁进行修复处理，所述修复处理采用的温度范围为70℃～400℃；采用金属材料填充所述接触孔。所述形成方法形成的金属互连结构性能更好，降低金属互连结构的RC延迟，并且显著改善金属互连结构的电迁移问题。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 互连 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属互连结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成金属层；在所述金属层上形成介质层；在所述介质层中形成接触孔，所述接触孔的底部暴露所述金属层；对所述接触孔的侧壁进行修复处理，所述修复处理采用的温度范围为70℃～400℃；采用金属材料填充所述接触孔，填充所述接触孔的步骤包括：修复处理之后，在所述接触孔内形成金属籽晶层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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