[发明专利]SRAM存储单元、存储阵列及存储器有效
| 申请号： | 201410235553.5 | 申请日： | 2014-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN105336364B | 公开（公告）日： | 2017-11-21 |
| 发明（设计）人： | 王林 | 申请（专利权）人： | 展讯通信（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/419 | 分类号： | G11C11/419 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种SRAM存储单元、存储阵列及存储器。所述SRAM存储单元包括第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第一传输晶体管、第二传输晶体管、第一双栅NMOS晶体管及第二双栅NMOS晶体管。本发明能够解决SRAM存储单元可能存在的写入操作失败的问题。 | ||
| 搜索关键词： | sram 存储 单元 阵列 存储器 | ||
【主权项】：
一种SRAM存储单元，其特征在于，包括：第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第一传输晶体管以及第二传输晶体管；其中，所述第一PMOS晶体管的栅极、第一NMOS晶体管的栅极、第二PMOS晶体管的漏极及第二传输晶体管的一极连接以形成第一存储节点，所述第二传输晶体管的另一极连接至第一位线；所述第二PMOS晶体管的栅极、第二NMOS晶体管的栅极、第一PMOS晶体管的漏极及第一传输晶体管的一极连接以形成第二存储节点，所述第一传输晶体管的另一极连接至第二位线；所述第一传输晶体管以及第二传输晶体管的控制极连接至字线，所述第一PMOS晶体管的源极及第二PMOS晶体管的源极连接至第一电压，所述第一NMOS晶体管的源极及第二NMOS晶体管的源极连接至第二电压；所述SRAM存储单元还包括：第一双栅NMOS晶体管及第二双栅NMOS晶体管；其中，所述第一双栅NMOS晶体管的第一栅极及第二双栅NMOS晶体管的漏极连接至所述第一存储节点，所述第一双栅NMOS晶体管的第二栅极连接至所述第一位线；所述第二双栅NMOS晶体管的第一栅极及第一双栅NMOS晶体管的漏极连接至所述第二存储节点，所述第二双栅NMOS晶体管的第二栅极连接至所述第二位线；所述第一双栅NMOS晶体管的源极连接至所述第一NMOS晶体管的漏极，所述第二双栅NMOS晶体管的源极连接至所述第二NMOS晶体管的漏极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于展讯通信（上海）有限公司，未经展讯通信（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410235553.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：固体多态分子随机访问存储器（RAM）
- 下一篇：存储装置及其控制方法
