[发明专利]一种氮化物发光二极管组件的制备方法有效
| 申请号： | 201410215285.0 | 申请日： | 2014-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN103996755A | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | 董木森;申利莹;王笃祥;王良均;刘晓峰 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氮化物发光二极管组件的制备方法，具有降低电子漏电，降低efficiencydroop效应，增强空穴浓度，增强发光效率的优势，该方法是采用如下步骤实现的：（1）提供一过渡衬底；（2）在所述过渡衬底上依次生长P型半导体层和第一键合层；（3）提供一永久衬底；（4）在所述永久衬底上依次生长N型半导体层、发光层和第二键合层；（5）将生长有P型半导体层的过渡衬底以及生长有N型半导体层、发光层的永久衬底，通过第一键合层和第二键合层进行键合。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 发光二极管 组件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物发光二极管组件的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：（1）提供一过渡衬底；（2）在所述过渡衬底上依次生长P型半导体层和第一键合层；（3）提供一永久衬底；（4）在所述永久衬底上依次生长N型半导体层、发光层和第二键合层；（5）将生长有P型半导体层的过渡衬底以及生长有N型半导体层、发光层的永久衬底，通过第一键合层和第二键合层进行键合。
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