[发明专利]一种多孔硅的修饰方法及其作为生物传感器的用途有效

专利信息
申请号: 201410192248.2 申请日: 2014-05-08
公开(公告)号: CN103979543A 公开(公告)日: 2014-08-13
发明(设计)人: 吕小毅;莫家庆;贾振红;张富春;李鹏 申请(专利权)人: 新疆大学
主分类号: C01B33/02 分类号: C01B33/02;G01N21/45
代理公司: 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 代理人: 牟彩萍
地址: 830046 新疆维吾*** 国省代码: 新疆;65
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摘要: 发明提供一种多孔硅的修饰方法,其包括如下步骤:⑴通过电化学刻蚀方法制备多孔硅,刻蚀液为氢氟酸:无水乙醇体积比为3:1;⑵将步骤⑴得到的多孔硅进行烷氧基硅烷修饰;⑶将步骤⑵得到的烷氧基硅烷修饰的多孔硅与4-(二乙氨基)水杨醛反应,得到带有芳叔胺基团的多孔硅;⑷将步骤⑶得到的带有芳叔胺基团的多孔硅浸泡在离子交换水中,去除残存的有机物。
搜索关键词: 一种 多孔 修饰 方法 及其 作为 生物 传感器 用途
【主权项】:
一种多孔硅的修饰方法,其包括如下步骤:⑴通过电化学刻蚀方法制备多孔硅,刻蚀液为氢氟酸:无水乙醇体积比为3:1;优选地电流密度为600mA/cm2,蚀刻时间为20秒;⑵将步骤⑴得到的多孔硅进行烷氧基硅烷修饰;⑶将步骤⑵得到的烷氧基硅烷修饰的多孔硅与4‑(二乙氨基)水杨醛反应,得到带有芳叔胺基团的多孔硅;⑷将步骤⑶得到的带有芳叔胺基团的多孔硅浸泡在离子交换水中,去除残存的有机物。
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