[发明专利]一种多孔硅的修饰方法及其作为生物传感器的用途有效
申请号: | 201410192248.2 | 申请日: | 2014-05-08 |
公开(公告)号: | CN103979543A | 公开(公告)日: | 2014-08-13 |
发明(设计)人: | 吕小毅;莫家庆;贾振红;张富春;李鹏 | 申请(专利权)人: | 新疆大学 |
主分类号: | C01B33/02 | 分类号: | C01B33/02;G01N21/45 |
代理公司: | 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 | 代理人: | 牟彩萍 |
地址: | 830046 新疆维吾*** | 国省代码: | 新疆;65 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种多孔硅的修饰方法,其包括如下步骤:⑴通过电化学刻蚀方法制备多孔硅,刻蚀液为氢氟酸:无水乙醇体积比为3:1;⑵将步骤⑴得到的多孔硅进行烷氧基硅烷修饰;⑶将步骤⑵得到的烷氧基硅烷修饰的多孔硅与4-(二乙氨基)水杨醛反应,得到带有芳叔胺基团的多孔硅;⑷将步骤⑶得到的带有芳叔胺基团的多孔硅浸泡在离子交换水中,去除残存的有机物。 | ||
搜索关键词: | 一种 多孔 修饰 方法 及其 作为 生物 传感器 用途 | ||
【主权项】:
一种多孔硅的修饰方法,其包括如下步骤:⑴通过电化学刻蚀方法制备多孔硅,刻蚀液为氢氟酸:无水乙醇体积比为3:1;优选地电流密度为600mA/cm2,蚀刻时间为20秒;⑵将步骤⑴得到的多孔硅进行烷氧基硅烷修饰;⑶将步骤⑵得到的烷氧基硅烷修饰的多孔硅与4‑(二乙氨基)水杨醛反应,得到带有芳叔胺基团的多孔硅;⑷将步骤⑶得到的带有芳叔胺基团的多孔硅浸泡在离子交换水中,去除残存的有机物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新疆大学,未经新疆大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410192248.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:干式电容器柜
- 下一篇:螺旋桨风扇、送风装置及室外机