[发明专利]一种薄膜晶体管在审
| 申请号： | 201410184090.4 | 申请日： | 2014-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN103943685A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 张冬利;王明湘;王槐生 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林;汪庆朋 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及的是一种新型薄膜晶体管结构，其包括绝缘衬底、源区、漏区、连接源区和漏区的有源岛、覆盖在有源岛上的绝缘层以及设置在绝缘层上的栅电极；有源岛上设置有沟道区以及与源漏导电类型相反的载流子输运区。本发明通过增加一个与源漏导电类型相反的载流子输运区，连接源区、漏区和沟道区，可以有效将由热载流子效应产生并扩散至沟道内的载流子由源/漏端的金属接触转移走，从而可以尽量减少体电位的变化引起的器件性能的不稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其包括绝缘衬底，在绝缘衬底上设置有源区、漏区、连接源区和漏区的有源岛、覆盖在有源岛上的绝缘层以及设置在绝缘层上的栅电极；所述有源岛上设置有沟道区，所述沟道区在在栅极电压下诱导出连接源区和漏区的导电沟道；其特征在于，所述源区与沟道区之间以及漏区与沟道区之间至少有一处设置有与源区以及漏区导电类型相反的载流子输运区。
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