[发明专利]具有减少的漏电流的闪存编程及验证无效
| 申请号： | 201410172165.7 | 申请日： | 2007-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN103971745A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | A·梅克尔-马尔-蒂罗斯安;E·朗尼;M·兰道夫;M·丁 | 申请（专利权）人： | 斯班逊有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种具有减少的漏电流的闪存编程及验证。根据本发明的例示实施例所组构的闪存系统(300)，使用虚拟接地阵列架构(302)。在编程(programming)操作期间，目标存储单元(406)被正源极偏压电压予以偏压，以减少或去除可能流经该目标存储单元(406)的漏电流(leakage current)。在验证(verification)操作(编程验证、软编程验证(soft program verify)，抹除验证(erase verify))期间，亦可施加正源极偏压电压至目标存储单元(506)，以减少或去除在该验证操作中可能导致错误的漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 减少 漏电 闪存 编程 验证 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储装置的编程方法，该非易失性存储装置具有以虚拟接地架构排列的单元阵列，每一单元包含对应于在该阵列中字符线的闸极、对应于在该阵列中位线的可选取的源极/漏极、以及对应于在该阵列中位线的可选取的漏极/源极，该方法包括：在该阵列中选取目标单元用于编程；施加编程电压至对应于该目标单元的字符线；施加漏极偏压电压至对应于该目标单元的漏极的第一可选取的位线；以及在对应于该目标单元的源极的第二可选取的位线处，通过响应流经该第二可选取的位线而被动地产生该正源极偏压电压而建立正源极偏压电压，其中，该正源极偏压电压是响应该阵列的写入周期状态而被调整。
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