[发明专利]高能量离子注入装置有效
申请号: | 201410171492.0 | 申请日: | 2014-04-25 |
公开(公告)号: | CN104183469B | 公开(公告)日: | 2018-06-19 |
发明(设计)人: | 椛泽光昭;渡边一浩;佐佐木玄;加藤浩二;安藤一志 | 申请(专利权)人: | 斯伊恩股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/265 | 分类号: | H01L21/265;H01L21/67 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种高能量离子注入装置,精度良好地将已扫描的高能量离子束平行化。本发明的高能量离子注入装置具备:射束生成单元,具有离子源和质量分析装置;高能量多段直线加速单元;高能量射束的偏转单元,将高能量离子束朝向晶片进行方向转换;及射束传输线单元,将已偏转的高能量离子束传输到晶片。射束传输线单元具有射束整形器、高能量用射束扫描器、高能量用射束平行化器及高能量用最终能量过滤器。并且,高能量用射束平行化器为通过电场重复高能量射束的加速和减速并且将扫描束平行化的电场式射束平行化器。 1 | ||
搜索关键词: | 射束 高能量 高能量离子 平行化器 注入装置 传输线单元 电场 平行化 晶片 扫描 质量分析装置 过滤器 偏转 多段直线 方向转换 加速单元 偏转单元 射束整形 生成单元 最终能量 离子源 扫描器 减速 传输 重复 | ||
【主权项】:
1.一种高能量离子注入装置,其对从离子源提取的离子束进行加速,沿着射束线传输到晶片并注入到该晶片中,所述高能量离子注入装置的特征在于,具备:射束生成单元,具有离子源和质量分析装置;高能量多段直线加速单元,对所述离子束进行加速而生成高能量离子束;高能量射束的偏转单元,将所述高能量离子束朝向晶片进行方向转换;射束传输线单元,将已偏转的高能量离子束传输到晶片;及基板处理供给单元,将传输到的高能量离子束均匀地注入到半导体晶片中,所述射束传输线单元具有射束整形器、高能量用射束扫描器、高能量用射束平行化器及高能量用最终能量过滤器,并构成为,对从所述偏转单元出来的高能量离子束通过所述射束扫描器在射束线的基准轨道的两侧进行扫描,并且通过所述射束平行化器将其平行化,且通过所述高能量用最终能量过滤器去除质量、离子价数及能量中至少任意一个不同的混入离子后注入到所述晶片中,所述高能量用射束平行化器为通过电场重复高能量射束的加速和减速并且将扫描束平行化的电场式射束平行化器所述电场式射束平行化器具备:加速用电极对,使所述离子束加速并且向接近基准轨道侧的方向偏转;及减速用电极对,使所述离子束减速并且向接近基准轨道侧的方向偏转,并由具有至少2组以上的该加速用电极对及该减速用电极对的加速减速电极透镜组构成。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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