“渡边一浩”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果9个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]离子注入装置、射束能量测定装置以及射束能量测定方法-CN201510104340.3有效
发明人：佐佐木玄;渡边一浩;狩谷宏行 -专利权人：斯伊恩股份有限公司
申请日： 2015-03-10 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明提供一种离子注入装置、射束能量测定装置以及射束能量测定方法。在离子注入装置中测定离子束的能量。离子注入装置(100)中的射束能量测定装置(200)具备：平行度测定部(202)，在离子注入装置(100)的射束平行化器(36)的下游测定离子束的平行度；及能量运算部(204)，由测定出的平行度运算离子束的能量。离子注入装置(100)还可以具备控制部，该控制部根据运算出的离子束的能量控制高能量多段直线加速单元(14)，以使离子束具有目标能量。
离子注入装置能量测定以及方法

[发明专利]离子注入装置及离子束的调整方法-CN201510477413.3有效
发明人： 渡边一浩;高桥裕二;上野勇介 -专利权人：住友重机械离子技术有限公司
申请日： 2015-08-06 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明提供一种离子注入装置及离子束的调整方法，其课题在于在避免离子注入装置的生产率的下降的同时实现能量精度的提高。本发明的离子注入装置的能量分析狭缝(28)构成为可切换标准狭缝开口(110)与高精度狭缝开口(112)，所述标准狭缝开口用于在所给注入条件下进行的注入处理；所述高精度狭缝开口具有比标准狭缝开口(110)高的能量精度，且为了调整高频线性加速器的加速参数而使用。加速参数取决于所给注入条件，以便使向高频线性加速器供给的离子的至少一部分加速至目标能量，并且使通过射束测量部测量的射束电流量与目标射束电流量相当。
离子注入装置离子束调整方法

[发明专利]高能量离子注入装置-CN201410171492.0有效
发明人：椛泽光昭;渡边一浩;佐佐木玄;加藤浩二;安藤一志 -专利权人：斯伊恩股份有限公司
申请日： 2014-04-25 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供一种高能量离子注入装置，精度良好地将已扫描的高能量离子束平行化。本发明的高能量离子注入装置具备：射束生成单元，具有离子源和质量分析装置；高能量多段直线加速单元；高能量射束的偏转单元，将高能量离子束朝向晶片进行方向转换；及射束传输线单元，将已偏转的高能量离子束传输到晶片。射束传输线单元具有射束整形器、高能量用射束扫描器、高能量用射束平行化器及高能量用最终能量过滤器。并且，高能量用射束平行化器为通过电场重复高能量射束的加速和减速并且将扫描束平行化的电场式射束平行化器。 1
射束高能量高能量离子平行化器注入装置传输线单元电场平行化晶片扫描质量分析装置过滤器偏转多段直线方向转换加速单元偏转单元射束整形生成单元最终能量离子源扫描器减速传输重复

[发明专利]高能量离子注入装置-CN201410172111.0有效
发明人：椛泽光昭;渡边一浩;佐佐木玄;稻田耕二;佐野信 -专利权人：斯伊恩股份有限公司
申请日： 2014-04-25 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明提供一种高能量离子注入装置，维持已扫描的高能量离子束的注入离子密度的均匀性，并且提高异质离子的去除性能。本发明的高能量离子注入装置具备：射束生成单元，具有离子源和质量分析装置；高频多段直线加速单元；偏转单元，包括以动量进行离子的过滤的磁场式的能量分析装置；射束传输线单元；及基板处理供给单元。该装置中，在电场式射束平行化器与晶片之间除了作为动量过滤器的磁场式质量分析装置及能量分析装置、作为速度过滤器的高频多段直线加速单元之外，还插入有通过电场使高能量扫描束向上下方向偏转的电场式最终能量过滤器。
高能量离子注入装置

[发明专利]离子束测定装置及离子束测定方法-CN201410168751.4有效
发明人：井门德安;稻田耕二;渡边一浩 -专利权人：斯伊恩股份有限公司
申请日： 2014-04-24 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： H01J37/244 文献下载
摘要：本发明提供一种以简单的结构测定两个方向的射束角度的离子束测定装置及离子束测定方法。离子束测定装置(100)具备掩模(102)，用于将原始的离子束(B)整形为具备在与离子束行进方向垂直的y方向较长的y射束部分及在与所述行进方向及y方向垂直的x方向较长的x射束部分的测定用离子束(Bm)；检测部(104)，构成为检测y射束部分的x方向位置，并检测x射束部分的y方向位置；及射束角度运算部(108)，构成为利用x方向位置运算x方向射束角度，并利用y方向位置运算y方向射束角度。
离子束测定装置方法

[发明专利]高能量精度的高频加速式离子加速/传输装置-CN201410181511.8有效
发明人：椛泽光昭;西原达生;渡边一浩;高桥裕二;山田达也 -专利权人：斯伊恩股份有限公司
申请日： 2014-04-30 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明提供具有能量宽度的射束的高精度能量分析技术。本发明的高能量精度的高频加速式离子加速/传输装置为通过相对于设定射束能量具有能量宽度即能量分布的高频加速式加速系统进行离子束的加速后的射束线，且具备能量分析用偏转电磁铁和横向射束会聚要件。离子加速/传输装置进一步在通过能量分析用偏转电磁铁和横向射束会聚要件而使得能量分散和射束尺寸适当的位置，设置有包括能量宽度限制狭缝和能量分析狭缝的双狭缝，双狭缝进行能量分离和能量限制，通过一边抑制束电流量的减少，一边调整为更小的能量宽度，从而缩小离子束的能量宽度来实现所需能量精度。
高能量精度高频加速离子传输装置

[发明专利]高能量离子注入装置-CN201410171523.2有效
发明人：椛泽光昭;渡边一浩;佐佐木玄;稻田耕二 -专利权人：斯伊恩股份有限公司
申请日： 2014-04-25 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明提供一种高能量离子注入装置，通过电场对高能量的离子束进行扫描、平行化及过滤。本发明的高能量离子注入装置(100)具备高能量多段直线加速单元(14)，对离子束进行加速而生成高能量离子束；偏转单元(16)，将高能量离子束朝向半导体晶片进行方向转换；及射束传输线单元(18)，将已偏转的高能量离子束传输到晶片。射束传输线单元(18)具有射束整形器(32)、高能量用射束扫描器(34)、高能量用电场式射束平行化器(36)及电场式最终能量过滤器(38)。
高能量离子注入装置

[发明专利]高能量离子注入装置-CN201410183419.5有效
发明人：椛泽光昭;西原达生;渡边一浩;高桥裕二;山田达也 -专利权人：斯伊恩股份有限公司
申请日： 2014-04-30 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明提供高能量离子注入装置中的高效率射束传输技术。本发明的高能量离子注入装置具备射束生成单元，具有离子源和质量分析装置；高能量多段直线加速单元，对离子束进行加速而生成高能量离子束；高能量射束的偏转单元，将高能量离子束朝向晶片进行方向转换；及射束传输线单元，将已偏转的高能量离子束传输到晶片。偏转单元由多个偏转电磁铁构成，并在多个偏转电磁铁之间插入有至少1个横向会聚要件。
高能量离子注入装置

[发明专利]离子注入装置-CN201310498939.0有效
发明人：椛泽光昭;渡边一浩;安藤一志;稻田耕二;山田达也 -专利权人：斯伊恩股份有限公司
申请日： 2013-10-22 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明提供一种离子注入装置，确保相对于离子注入装置的作业性且抑制设置面积。本发明的离子注入装置具备对由离子源生成的离子束进行加速的多个单元、及对扫描束进行调整而注入到晶片中的多个单元，该离子注入装置通过将对扫描束进行调整的多个单元的长度构成为与对离子源及离子束进行加速的多个单元大致相同的长度的长直线部，构成具有相对置的长直线部的水平U字状的折回型射束线。
离子注入装置

1
共 9 条