[发明专利]一种夹心结构的电容在审
申请号: | 201410167200.6 | 申请日: | 2014-04-24 |
公开(公告)号: | CN103985707A | 公开(公告)日: | 2014-08-13 |
发明(设计)人: | 朱伟民;马晓辉 | 申请(专利权)人: | 无锡市晶源微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/08 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 许方 |
地址: | 214028 江苏省无锡市国家*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种夹心结构的电容,包括P衬底、扩散在P衬底上的阱区、在阱区之上的第一电容、在第一电容之上的第二电容、在第二电容之上的第三电容、在第三电容之上的第四电容,还包括连接金属,所述第一、第二、第三、第四电容通过连接金属连接为一个总电容。本发明通过一种夹心结构形成由多个电容并联的电容结构,使得在单位面积的电容量达到常规电容的3~4倍,大大降低了电容在集成电路中所占的面积,降低电路的成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 夹心 结构 电容 | ||
【主权项】:
一种夹心结构的电容,其特征在于:包括P衬底,在P衬底上扩散有阱区,阱区上淀积有第一电容介质,第一电容介质上淀积有第一多晶,阱区、第一电容介质和第一多晶构成第一电容,阱区作为第一电容的下极板,第一多晶作为第一电容的上极板,第一电容介质作为第一电容的介质,阱区上的扩散区作为阱区的上引出端,扩散区与第一电容介质之间有场氧隔开;所述第一多晶之上淀积有第二电容介质,第二电容介质之上淀积有第二多晶,第一多晶、第二电容介质和第二多晶构成第二电容,第一多晶作为第二电容的下极板,第二多晶作为第二电容的上极板,第二电容介质作为第二电容的介质;所述第二多晶之上淀积有第三电容介质,第三电容介质之上溅射有第一金属,第二多晶、第三电容介质和第一金属构成第三电容,第二多晶作为第三电容的下极板,第一金属作为第三电容的上极板,第三电容介质作为第三电容的介质;所述第一金属之上淀积有第四电容介质,第四电容介质之上溅射有第二金属,第一金属、第四电容介质和第二金属构成第四电容,第一金属作为第四电容的下极板,第二金属作为第四电容的上极板,第四电容介质作为第四电容的介质;还包括连接金属,所述第一、第二、第三、第四电容通过连接金属连接为一个总电容。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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