[发明专利]一种夹心结构的电容

权利要求书

1.一种夹心结构的电容，其特征在于：包括P衬底，在P衬底上扩散有阱区，阱区上淀积有第一电容介质，第一电容介质上淀积有第一多晶，阱区、第一电容介质和第一多晶构成第一电容，阱区作为第一电容的下极板，第一多晶作为第一电容的上极板，第一电容介质作为第一电容的介质，阱区上的扩散区作为阱区的上引出端，扩散区与第一电容介质之间有场氧隔开；所述第一多晶之上淀积有第二电容介质，第二电容介质之上淀积有第二多晶，第一多晶、第二电容介质和第二多晶构成第二电容，第一多晶作为第二电容的下极板，第二多晶作为第二电容的上极板，第二电容介质作为第二电容的介质；所述第二多晶之上淀积有第三电容介质，第三电容介质之上溅射有第一金属，第二多晶、第三电容介质和第一金属构成第三电容，第二多晶作为第三电容的下极板，第一金属作为第三电容的上极板，第三电容介质作为第三电容的介质；所述第一金属之上淀积有第四电容介质，第四电容介质之上溅射有第二金属，第一金属、第四电容介质和第二金属构成第四电容，第一金属作为第四电容的下极板，第二金属作为第四电容的上极板，第四电容介质作为第四电容的介质；还包括连接金属，所述第一、第二、第三、第四电容通过连接金属连接为一个总电容。

2.根据权利要求1所述一种夹心结构的电容，其特征在于：所述阱区为N阱或P阱，当采用N阱时，所述扩散区为N+扩散区，当采用P阱时，扩散区为P+扩散区。

3.根据权利要求1所述一种夹心结构的电容，其特征在于：所述阱区与第一电容介质之间增加高掺杂的电容注入。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述一种夹心结构的电容，其特征在于：所述连接金属包含第一层连接金属和第二层连接金属，所述第一层连接金属与第一金属在同一层，第二层连接金属在第二金属之上，所述第一层连接金属包含互不接触的第Ⅰ连接金属、第Ⅱ连接金属和第Ⅲ连接金属，第二层连接金属包含互不接触的第Ⅳ连接金属和第Ⅴ连接金属。

5.根据权利要求4所述一种夹心结构的电容，其特征在于：所述第Ⅳ连接金属经第Ⅰ连接金属与扩散区连接，第Ⅳ连接金属经第Ⅱ连接金属与第二多晶连接，第Ⅳ连接金属直接连接第二金属，所述第Ⅴ连接金属经第Ⅲ连接金属分别连接第一金属和第一多晶。

6.根据权利要求4所述一种夹心结构的电容，其特征在于：所述第Ⅳ连接金属经第Ⅲ连接金属与第一多晶连接，第Ⅳ连接金属直接连接第二金属，所述第Ⅴ连接金属经第Ⅰ连接金属与扩散区连接，第Ⅴ连接金属经第Ⅱ连接金属分别连接第一金属和第二多晶。