[发明专利]一种从氯硅烷中去除三氯化铝的方法及其装置有效
申请号: | 201410152511.5 | 申请日: | 2014-04-15 |
公开(公告)号: | CN104058406A | 公开(公告)日: | 2014-09-24 |
发明(设计)人: | 舒忠斌;李波;陶崇花 | 申请(专利权)人: | 浙江精功新材料技术有限公司 |
主分类号: | C01B33/107 | 分类号: | C01B33/107 |
代理公司: | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人: | 尉伟敏 |
地址: | 310018 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明涉及氯硅烷的生产领域,具体涉及一种从氯硅烷中去除三氯化铝的方法及其装置,该方法具体包括以下步骤:将含有三氯化铝的氯硅烷于第一蒸馏塔中加热蒸馏,蒸馏温度为45-65℃,将挥发物进入第一除杂器内除杂,第一除杂器内填充有吸附剂颗粒;将第一除杂器除杂后的挥发物经过过滤后进入第二蒸馏塔加热蒸馏,蒸馏温度为180-195℃,将挥发物进入第二除杂器,第二除杂器内填充有钠盐颗粒;经第二除杂器除杂后的挥发物经冷凝器冷凝后过滤得到提纯氯硅烷。这种方法成本较低,去除效果较好,且不会对氯硅烷产生深度污染。 | ||
搜索关键词: | 一种 硅烷 去除 氯化铝 方法 及其 装置 | ||
【主权项】:
一种从氯硅烷中去除三氯化铝的方法,其特征在于,将含有三氯化铝的氯硅烷进行蒸馏,蒸馏后的挥发物经装有钠盐或钾盐的容器反应并冷却后得到提纯氯硅烷。
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