[发明专利]磁阻膜层结构以及使用此磁阻膜层结构的磁场传感器有效
| 申请号： | 201410134446.3 | 申请日： | 2014-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN104103753B | 公开（公告）日： | 2017-09-08 |
| 发明（设计）人： | 黄鑫泓;翁焕翔;赖志煌;黄国峰 | 申请（专利权）人： | 昇佳电子股份有限公司;赖志煌 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G01R33/09 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种磁阻膜层结构以及使用此磁阻膜层结构的磁场传感器，所述磁阻膜层结构包括一固定层；一被固定层，设置在所述固定层上；一正交耦合层，设置在所述被固定层上；一参考层，设置在所述正交耦合层上；一间隔层，设置在所述参考层上；以及一自由层，设置在所述间隔层上。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 结构 以及 使用 磁场 传感器 | ||
【主权项】：
一种磁阻膜层结构，其特征在于，包含：一固定层；一自由层；一被固定层，介于所述固定层与所述自由层之间，并与所述固定层直接接触；一正交耦合层，介于所述被固定层与所述自由层之间，并与所述被固定层直接接触；一参考层，介于所述正交耦合层与所述自由层之间，并与所述正交耦合层直接接触，所述参考层具有单一的磁化方向，所述被固定层的磁化方向与所述参考层的磁化方向彼此垂直；以及一间隙壁层，介于所述参考层与所述自由层之间，并与所述参考层及所述自由层直接接触；其中所述磁阻膜层结构为具有长轴和短轴的三维立体膜层结构，且所述磁阻膜层结构中的各层都具有相同的平面尺寸，且所述自由层的磁化方向平行于所述长轴。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昇佳电子股份有限公司;赖志煌，未经昇佳电子股份有限公司;赖志煌许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410134446.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种Flash跨域访问数据的方法及装置
- 下一篇：一种主动防御方法和装置
