[发明专利]一种Sn掺杂GaN粉体的制备方法

摘要

本发明公开了一种Sn掺杂GaN粉体的制备方法，本发明采用化学气相沉积法，以高纯Ga₂O₃粉、高纯Sn粉、NH₃气分别作为Ga源、Sn源和N源，在研钵中研磨Ga₂O₃粉和高纯Sn粉使其充分混合。将盛有混合粉末的陶瓷舟置于中央加热区处，密封水平管式炉，炉内真空度抽至1Pa，然后用氩气反复洗气两次，最后当氩气充到常压后开始加热。当温度达到1000℃时，用150sccm的NH₃气代替氩气并保温2h。然后停止加热，并用氩气代替NH₃气，自然冷却到室温。得到的样品在HCI溶液中清洗，然后放进干燥箱中，在60℃下烘干，得到样品。本发明的特点是：方法简单，成本低，产率高，对环境危害小，可以批量生产。

主权项

一种非磁性元素Sn掺杂GaN粉体的制备方法：本方法为通过化学气相沉积法直接氮化，在陶瓷舟中制备了Sn掺杂GaN粉体；所用系统由硅钼棒加热的水平管式炉加热系统、气路系统和真空系统组成；高纯Ga₂O₃粉，高纯Sn粉，NH₃气分别作为Ga源，Sn源和N源；将Ga₂O₃粉，Sn粉两者研磨混合置于陶瓷舟中，将陶瓷舟置于高温水平管式炉中央加热区处，密封水平管式炉；使用机械泵，使炉内真空度抽至1Pa；反复通入两次Ar气，除去系统中残留的水气和氧气；最后使系统达到常压，并对管式炉进行加热；当管式炉加热区的温度达到1000℃时，用150sccm的NH₃气替换氩气并保温2h；然后停止加热，关掉氨气，通入氩气，自然冷却到室温；得到的样品在HCI溶液中清洗，然后放进干燥箱中，在60℃下烘干，得到样品。