[发明专利]一种Sn掺杂GaN粉体的制备方法在审
| 申请号： | 201410129400.2 | 申请日： | 2014-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN103864028A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 吴荣;牛华兴 | 申请（专利权）人： | 新疆大学 |
| 主分类号： | C01B21/06 | 分类号： | C01B21/06;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 830046 新疆维吾尔*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sn 掺杂 gan 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种非磁性元素Sn掺杂GaN粉体的制备方法：本方法为通过化学气相沉积法直接氮化，在陶瓷舟中制备了Sn掺杂GaN粉体；所用系统由硅钼棒加热的水平管式炉加热系统、气路系统和真空系统组成；高纯Ga2O3粉，高纯Sn粉，NH3气分别作为Ga源，Sn源和N源；将Ga2O3粉，Sn粉两者研磨混合置于陶瓷舟中，将陶瓷舟置于高温水平管式炉中央加热区处，密封水平管式炉；使用机械泵，使炉内真空度抽至1Pa；反复通入两次Ar气，除去系统中残留的水气和氧气；最后使系统达到常压，并对管式炉进行加热；当管式炉加热区的温度达到1000℃时，用150sccm的NH3气替换氩气并保温2h；然后停止加热，关掉氨气，通入氩气，自然冷却到室温；得到的样品在HCI溶液中清洗，然后放进干燥箱中，在60℃下烘干，得到样品。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的源为高纯Ga2O3粉，高纯Sn粉，NH3气。
3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述温度为1000℃。
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氨气的通入流量为150sccm。
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述时间为2h。
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