[发明专利]一种集成门极换流晶闸管IGCT深门极结构

摘要

本发明公开了一种集成门极换流晶闸管IGCT的深门极结构，该深门极结构包括硅单晶，在硅单晶上设置第一槽；在第一槽有槽面用硼铝高温扩散工艺形成P型区；在第一槽有槽平面用磷扩散工艺形成N⁺型区；在第一槽的底部设置第二槽；第二槽底部设置P⁺型区；在N⁺型区上设置阴极电极；在P⁺型区上设置门极电极；最后在P型区和N⁺型区交接处设置N⁺型区和P型区交接处保护层。本发明这种集成门极换流晶闸管IGCT采用深门极结构可大大增加阳极关断电流，同时门极电极和阴极电极的平面距离达到50微米以上，提高了门极电极和阴极电极的绝缘电压，进而提高了集成门极换流晶闸管IGCT的可靠性。

主权项

一种集成门极换流晶闸管IGCT深门极结构，包括硅单晶（1），其特征在于：在硅单晶（1）上设置第一槽（2）；在第一槽（2）的槽面用硼铝高温扩散工艺形成P型区（3）；在第一槽（2）的平面用磷扩散工艺形成N⁺型区（4）；在第一槽（2）的底部设置第二槽（5）；第二槽（5）底部设置P⁺型区（6）；在N⁺型区（4）上设置阴极电极（7）；在P⁺型区（6）上设置门极电极（8）；最后在P型区（3）和N⁺型区（4）交接处设置N⁺型区和P型区交接处保护层（9）。