[发明专利]集成肖特基二极管的超势垒整流器及其制备方法

摘要

本发明主要涉及功率半导体整流器，更确切地说，是涉及一种集成肖特基二极管的超势垒整流器及其制备方法。制备沟槽式的SBR器件，具有与MOS管并联的体二极管和肖特基二极管，势垒MOS管的阈值电压比常规PN结的势垒电压低，SBR正向导通的电压低于常规PN二极管的正向导通电压，使SBR具有一个较快的开关速度，和具有较高的反向耐压。

主权项

一种集成肖特基二极管的SBR，其特征在于，包括：一底部衬底和其上方的一外延层，在外延层的顶部形成有一本体层，以及在本体层顶部形成有一顶部掺杂层；形成在外延层中的有源沟槽，向下贯穿顶部掺杂层和本体层直至其底部延伸至本体层下方的外延层中，有源沟槽底部和侧壁内衬有衬垫氧化物和在有源沟槽内设置有栅极；贯穿相邻有源沟槽间的顶部掺杂层和本体层直至向下延伸至本体层下方的外延层内的通孔；植入在本体层中并围绕在通孔侧壁周围的本体接触区和植入在通孔底部下方外延层内的掺杂区；填充在通孔内的金属栓塞，栓塞与外延层及掺杂区之间形成肖特基接触；覆盖在外延层之上并与顶部掺杂层、栓塞保持电性接触的一阳极金属层，以及设置在底部衬底底面上的一阴极金属层。