[发明专利]VDMOS的制造方法和VDMOS

摘要

本发明提供一种VDMOS的制造方法和VDMOS，方法包括：在N型外延层上依次生成栅氧化层、多晶硅层、P‑体区；在所述P‑体区注入N型杂质形成N型源区，所述N型源区包括N‑源区和N+源区；所述N+源区位于所述栅氧化层与N‑源区之间；在所述多晶硅层和所述栅氧化层上依次形成氧化层、P+区、介质层、接触孔和金属层，以使得所述金属层分别与所述N‑源区、N+源区、栅氧化层、氧化层、介质层中每层的侧面以及所述P+区相连接。本发明实施例有效解决了现有技术中，VDMOS的非箝位感性开关（UIS）能力低的技术问题。

主权项

1.一种VDMOS的制造方法，其特征在于，包括：在N型外延层上依次生成栅氧化层、多晶硅层、P‑体区；在所述P‑体区注入N型杂质形成N型源区，所述N型源区包括N‑源区和N+源区；所述N+源区位于所述栅氧化层与N‑源区之间；在所述多晶硅层和所述栅氧化层上依次形成氧化层、P+区、介质层、接触孔和金属层，以使得所述金属层分别与所述N‑源区、N+源区、栅氧化层、氧化层、介质层中每层的侧面以及所述P+区相连接；其中，形成所述接触孔的过程，包括：采用预置工艺流程形成所述接触孔的原始接触孔结构；采用氢氟酸对所述原始接触孔的侧壁进行湿法刻蚀，去除所述N+源区表面覆盖的部分所述栅氧化层、所述氧化层和所述介质层，以在所述接触孔的侧壁上所述N+源区所在位置形成凸台结构；将包含所述凸台结构的所述原始接触孔结构作为最终的所述接触孔。