[发明专利]金属薄膜的硅烷或硼烷处理有效
| 申请号： | 201410075121.2 | 申请日： | 2014-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN104051250B | 公开（公告）日： | 2017-12-22 |
| 发明（设计）人： | E·希罗;S·豪克卡 | 申请（专利权）人： | ASMIP控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 | 代理人： | 赵蓉民,张全信 |
| 地址： | 荷兰，*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 氧对一些金属膜的负面作用可以通过使所述膜与包含硅烷或硼烷的处理剂接触而减小或预防。在一些实施方案中，使NMOS栅极堆叠中的一个或多个膜在沉积期间或之后与包含硅烷或硼烷的处理剂接触。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 薄膜 硅烷 处理 | ||
【主权项】：
一种用于形成栅极堆叠的方法，其包括：提供衬底，所述衬底包括电介质材料和在所述电介质材料上的第一含金属薄膜，其中所述第一含金属薄膜包含TaN、TiC、W、TiN、TiAlN或TiAlCN；使所述第一含金属薄膜与硅烷化合物或硼烷化合物接触；在所述衬底与所述硅烷化合物或硼烷化合物接触之后，在所述第一含金属薄膜上沉积第二含金属薄膜，其中所述第二含金属薄膜包含TiC、TaC、HfC、TaAlC、TiAlSiC、SiAlSiC、TiAl、TiAlB、TaAlB、TiAlSiB、TaAl、或HfAlSiB。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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