[发明专利]基板处理装置及成膜方法

摘要

本发明提供一种基板处理装置及成膜方法。在旋转台（2）下方侧的与改性区域（S1）相对的位置配置偏压电极（120），并在改性区域（S1）的上方侧配置法拉第屏蔽件（95），使上述偏压电极（120）与法拉第屏蔽件（95）电容耦合而在上述改性区域（S1）内形成偏移电场。并且，偏压电极（120），在旋转台（2）的旋转方向上的宽度尺寸（t）形成得比相邻的晶圆（W）之间的分开尺寸（d）小，从而能够防止对相邻的晶圆（W）同时施加偏移电场，并能够针对各晶圆（W）单独地形成偏移电场。

主权项

一种基板处理装置，该基板处理装置用于在真空容器内对基板进行等离子体处理，其特征在于，该基板处理装置包括：旋转台，沿上述真空容器的周向在该旋转台的多个部位配置有用于载置基板的基板载置区域，并且该旋转台用于使上述基板载置区域中的各基板载置区域进行公转；等离子体产生用气体供给部，其用于向等离子体产生区域供给等离子体产生用气体，该等离子体产生区域用于对基板进行等离子体处理；能量供给部，其用于向上述等离子体产生用气体供给能量而使该气体等离子体化；偏压电极，其以与上述等离子体产生区域相对的方式设在上述旋转台的下方侧，用于向基板的表面吸引等离子体中的离子；排气口，其用于对上述真空容器内进行排气，上述偏压电极形成为自上述旋转台的旋转中心侧向外缘侧延伸，且其在上述旋转台的旋转方向上的宽度尺寸形成得比相邻的基板载置区域之间的分开尺寸小。