[发明专利]减压处理装置在审
申请号: | 201410038811.0 | 申请日: | 2014-01-27 |
公开(公告)号: | CN103972134A | 公开(公告)日: | 2014-08-06 |
发明(设计)人: | 松崎荣;增田隆俊 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;蔡丽娜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供减压处理装置,在相对于减压室搬入和搬出被加工物时能将减压室维持减压状态。一种在减压状态下处理被加工物的减压处理装置,具有:壳体,具有处理被加工物的第1减压室和与第1减压室被间隔壁隔开并经设置于间隔壁的连通开口而连通的第2减压室;挡板单元,开闭设置于间隔壁的连通开口;门单元,开闭与第2减压室连通的被加工物搬入搬出用开口;被加工物保持单元,配设于第1减压室,用于保持被加工物;处理单元,对由被加工物保持单元保持的被加工物实施处理;第1减压单元,对第1减压室进行减压;第2减压单元,对第2减压室进行减压;临时放置单元,配设于第2减压室,用于临时放置被加工物;和被加工物输送单元,在临时放置单元和被加工物保持单元之间输送被加工物。 | ||
搜索关键词: | 减压 处理 装置 | ||
【主权项】:
一种减压处理装置,其在减压状态下处理被加工物,其特征在于,所述减压处理装置具有:壳体,其具有第1减压室和第2减压室,该第1减压室用于处理被加工物,该第2减压室与该第1减压室通过间隔壁而被划分开并经由设置在该间隔壁上的连通开口而连通;挡板单元,其对设置在该间隔壁上的该连通开口进行开闭;门单元,其对形成在该壳体上并与该第2减压室连通的被加工物搬入搬出用开口进行开闭;被加工物保持单元,其配设在该第1减压室中,用于保持被加工物;处理单元,其对由该被加工物保持单元保持的被加工物实施处理;第1减压单元,其对该第1减压室进行减压;第2减压单元,其对该第2减压室进行减压;临时放置单元,其配设在该第2减压室中,用于临时放置被加工物;以及被加工物输送单元,其使载置于该临时放置单元的被加工物穿过设置在该间隔壁上的该连通开口而输送到配设在该第1减压室中的该被加工物保持单元,并且使载置于该被加工物保持单元的被加工物穿过设置在该间隔壁上的该连通开口而输送到该临时放置单元,该被加工物保持单元具有:保持被加工物的中央区域的中央保持台;和使该中央保持台升降的升降单元,该被加工物输送单元具有支撑被加工物的外周区域的外周支撑部件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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