[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置无效
| 申请号： | 201410032607.8 | 申请日： | 2014-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN103794651A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 李正亮;刘震;丁录科;张斌;曹占锋;惠官宝 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，用以提高薄膜晶体管电极和与之相连的膜层之间的密接性，同时有效的阻止薄膜晶体管电极中的原子扩散到与之相连的膜层中，提高薄膜晶体管的可靠性，降低生产成本。所述薄膜晶体管，包括：栅极、源极和漏极，其中所述薄膜晶体管还包括缓冲层，所述缓冲层位于所述栅极、源极和漏极中的至少一个的一侧或两侧，其中，所述缓冲层与该缓冲层接触的所述栅极、源极和/或漏极，是采用相同刻蚀液刻蚀得到的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：栅极、源极和漏极，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括缓冲层，所述缓冲层位于所述栅极、源极和漏极中的至少一个的一侧或两侧，其中，所述缓冲层与该缓冲层接触的所述栅极、源极和/或漏极，是采用相同刻蚀液刻蚀得到的。
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