[发明专利]一种提高发光效率的LED结构无效
| 申请号： | 201410028190.8 | 申请日： | 2014-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN103779462A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 张宁;任鹏;刘喆;李晋闽;王军喜 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高发光效率的LED结构，该LED结构为，在衬底上依次沉积有缓冲层、未掺杂氮化镓层、n型导电氮化镓层、多量子阱、p型氮化铝镓层、p型氮化镓层、接触层以及之上的p电极，以及n型氮化镓层与其上的n电极，所述多量子阱由多个量子阱和量子垒交替形成，且在沿n型导电氮化镓层到p型氮化铝镓层的方向上，多量子阱内的量子垒的厚度逐步减小。本发明通过改变沿n型层到p型层方向上量子垒的厚度解决目前存在的LED中空穴分布不均匀造成发光效率低下的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 发光 效率 led 结构 | ||
【主权项】：
一种提高发光效率的LED结构，该LED结构为，在衬底上依次沉积有缓冲层、未掺杂氮化镓层、n型导电氮化镓层、多量子阱、p型氮化铝镓层、p型氮化镓层、接触层以及之上的p电极，以及n型氮化镓层与其上的n电极，其特征在于：所述多量子阱由多个量子阱和量子垒交替形成，且在沿n型导电氮化镓层到p型氮化铝镓层的方向上，多量子阱内的量子垒的厚度逐步减小。
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