[发明专利]具有隔离电荷位置的存储器元件以及制作其的方法

摘要

描述了具有隔离电荷位置的存储器元件和制作具有隔离电荷位置的存储器元件的方法。在示例中，一种非易失性电荷俘获存储器装置包括具有沟道区、源区和漏区的衬底。栅堆叠被安置在衬底上，且在沟道区上。栅堆叠包括安置在沟道区上的隧道介电层、第一电荷俘获区和第二电荷俘获区。所述区被安置在隧道介电层上且以某一距离分开。栅堆叠还包括安置在隧道介电层上且在第一电荷俘获区与第二电荷俘获区之间的隔离介电层。栅介电层被安置在第一电荷俘获区、第二电荷俘获区和隔离介电层上。栅电极被安置在栅介电层上。

主权项

一种非易失性电荷俘获存储器装置，包括：衬底，具有沟道区、源区和漏区；以及栅堆叠，安置在所述衬底上，在所述沟道区上，其中所述栅堆叠包括：隧道介电层，安置在所述沟道区上；第一电荷俘获区和第二电荷俘获区，所述第一电荷俘获区和所述第二电荷俘获区被安置在所述隧道介电层上且以某一距离分开；隔离介电层，安置在所述隧道介电层上且在所述第一电荷俘获区与所述第二电荷俘获区之间；栅介电层，安置在所述第一电荷俘获区、所述第二电荷俘获区和所述隔离介电层上；以及栅电极，安置在所述栅介电层上。