[发明专利]经由氧化的多氧阴离子盐沉积在无机基底上形成氧化物壳

摘要

本发明提供一种用于使氧化物涂层沉积到无机基底上的方法，包括提供含有四烷基铵多氧阴离子和过氧化氢的水性组合物；使水性组合物与无机基底接触足够的时间以使源自多氧阴离子的氢氧化物沉积到无机基底的表面上，形成初始涂覆的无机基底；以及使所述初始涂覆的无机基底加热足够的时间以将氢氧化物转化为氧化物，从而在无机基底上形成源自多氧阴离子的氧化物涂层。无机基底可以是陶瓷材料或半导体材料、玻璃或其它介电材料，并且陶瓷材料可以是锂离子电池阴极材料。

主权项

一种用于使氧化物涂层沉积到无机基底上的方法，包括：提供含有四‑C1‑C8‑烷基铵多氧阴离子和过氧化氢的水性溶液，其中所述四‑C1‑C8‑烷基铵多氧阴离子包含化学计量比为3:1的四‑C1‑C8‑烷基铵和多氧阴离子；使所述水性溶液与无机基底接触足够的时间以使源自多氧阴离子的氢氧化物通过异相成核沉积到无机基底的表面上，形成初始涂覆的无机基底；以及使所述初始涂覆的无机基底加热足够的时间以将所述氢氧化物转化为氧化物，从而在所述无机基底上形成源自所述多氧阴离子的氧化物涂层，其中所述四‑C1‑C8‑烷基铵多氧阴离子包括具有通式AxOyz‑的多氧阴离子，其中，A表示过渡金属，或选自Al、Si、B、Ga、Ge、As、In、Sn、Sb和Pb的金属或准金属，或其任意两种或更多种的组合，O是氧原子，并且x、y和z值取决于A在所述多氧阴离子中的价态并且y>x；且过氧化氢以基于水性溶液的总含量为0.02重量％至1重量％的浓度存在。