[发明专利]电场增强型自旋转移扭矩存储器(STTM)器件有效
申请号: | 201380060845.3 | 申请日: | 2013-06-24 |
公开(公告)号: | CN104813470B | 公开(公告)日: | 2017-08-25 |
发明(设计)人: | B·S·多伊尔;C·C·郭;D·L·肯克;R·戈利扎德莫亚拉德;U·沙阿 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L43/08 | 分类号: | H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22;G11C11/155;G11C11/16 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人: | 张扬,王英 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 自旋转移扭矩存储器(STTM)器件包括场板以用于施加电场来减小转移扭矩诱导的磁化切换所需的临界电流。实施例不仅利用电流诱导的磁场或自旋转移扭矩,并且还利用对磁偶极子定向的电场诱导的操纵来设置磁性器件元件中的状态(例如,对存储器元件进行写入)。由在MTJ电极与该场板之间的电压差产生的电场向磁性隧穿结(MTJ)的自由磁性层施加电场以调制所述自由磁性层的至少一部分范围上的一个或多个磁属性。 | ||
搜索关键词: | 电场 增强 自旋 转移 扭矩 存储器 sttm 器件 | ||
【主权项】:
一种电场增强型自旋扭矩转移存储器器件,包括:第一电极和第二电极;固定磁性层和自由磁性层,所述固定磁性层和所述自由磁性层设置在所述第一电极与所述第二电极之间,其中,在所述固定磁性层与所述自由磁性层之间还设置隧穿层;电介质层,所述电介质层相邻于所述自由磁性层;以及场板,所述场板通过所述电介质层与所述自由磁性层分隔开并且与所述第一电极和所述第二电极电隔离。
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