[发明专利]集成电路以及用于生产集成电路的系统和方法在审
| 申请号： | 201380057171.1 | 申请日： | 2013-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN104756255A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | D·E·尼科诺夫;R·L·赞克曼;R·金;J·潘 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/02 | 分类号： | H01L29/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 林金朝,王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明描述了包括半导体有机材料的三维集成电路。在一些实施例中，三维集成电路包括一个或多个电子部件，一个或多个电子部件包括由一种或多种半导体有机材料形成的半导体区。三维集成电路的电子部件还可以包括由有机绝缘材料形成的绝缘区和由导电材料形成的导电区。三维集成电路可以由诸如三维印刷的加法制造工艺形成。本发明还描述了用于生产和测试三维集成电路的装置和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 以及 用于 生产 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种用于生产集成电路的方法，包括：利用计算设备的主处理器将所述集成电路的数字模型处理成多个层；以及利用加法制造装置在支撑件上反复形成所述多个层，以便生产所述模型的可操作的物理副本；其中：所述集成电路包括至少一个电子部件，所述至少一个电子部件包括至少一个半导体区；并且利用至少一种半导体有机材料来在所述物理副本中复制所述至少一个半导体区。
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