[发明专利]相移掩膜及其制造方法有效
| 申请号： | 201380054682.8 | 申请日： | 2013-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN104737072B | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 望月圣;中村大介;影山景弘 | 申请（专利权）人： | 爱发科成膜株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/26 | 分类号： | G03F1/26;C23C14/06;H01L21/027 |
| 代理公司： | 11018 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张路;王琦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的相移掩膜的制造方法包括在含有10.4％以下的氧化性气体的混合气体的气氛下对铬系材料的靶进行溅射的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 相移 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种相移掩膜的制造方法，其特征在于，包括：/n在透明基板上形成经图案化的以Cr为主要成分的遮光层的工序；以及/n通过在含有惰性气体、氮化性气体、及氧化性气体的混合气体的气氛下对铬系材料的靶进行溅射，从而形成以Cr为主要成分的相移层并进行图案化的工序，且该相移层具有对于i线为大致180°的相位差，并且将所述混合气体中的所述氧化性气体设为6.5％以上且小于9.2％、将所述混合气体中的所述氮化性气体设为40％以上且90％以下、并将g线的透射率与所述i线的透射率之差设为5％以下。/n
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- 相移掩膜及其制造方法-201380054682.8
- 望月圣;中村大介;影山景弘 - 爱发科成膜株式会社
- 2013-12-19 - 2020-01-07 - G03F1/26
- 本发明的相移掩膜的制造方法包括在含有10.4％以下的氧化性气体的混合气体的气氛下对铬系材料的靶进行溅射的工序。
- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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