[发明专利]相移掩膜及其制造方法

说明书

本发明的相移掩膜的制造方法包括在含有10.4％以下的氧化性气体的混合气体的气氛下对铬系材料的靶进行溅射的工序。

技术领域

本发明涉及能够形成微细且高精度的曝光图案的相移掩膜及其制造方法，特别涉及优选用于平板显示器的制造的技术。

本申请基于2012年12月27日于日本申请的日本特愿2012-285845号主张优先权，在此引用其内容。

背景技术

在半导体设备及平板显示器(FPD)的制造工序中，为了在形成于由硅或玻璃等构成的基板的抗蚀剂膜上对微细图案进行曝光、转印而使用相移掩膜。

在FPD中，近来已发展到通过提高图案化的精度而使线宽尺寸更加微细，从而大幅度提高图像的品质。当光掩膜的线宽精度、转印侧的基板的线宽精度变得更加微细时，曝光时的光掩膜与基板的间隙会变得更小。由于被使用于平板的玻璃基板成为超过300mm的较大尺寸，因此玻璃基板的起伏或表面粗糙度会成为较大的值，从而处于易于受到焦点深度的影响的状况。

由于玻璃基板为大型尺寸，因此FPD的曝光使用g线(436nm)、h线(405nm)、i线(365nm)的复合波长，并且使用等倍接近式曝光法(例如，参考专利文献1)。

另一方面，在半导体中，进行利用ArF(193nm)的单一波长的图案化，作为用于实现进一步微细化的方法而使用半色调型相移掩膜(例如，参考专利文献2)。根据该方法，通过利用193nm使相位成为180°，能够设定光强度成为零的位置从而提高图案化精度。而且，通过存在光强度成为零的位置，能够较大地设定焦点深度，从而实现曝光条件的放宽或图案化的成品率提高。

专利文献1：日本特开2007-271720号公报(段落[0031])

专利文献2：日本特开2006-78953号公报(段落[0002]、[0005])

伴随着近年来FPD的布线图案的微细化，对用于FPD的制造的光掩模也提高了对微细的线宽精度的要求。但是，仅仅进行针对光掩模的微细化的曝光条件、显影条件等的研究会非常难以应对，因此寻求用于实现进一步微细化的新的技术。

特别是，当如上述那样使用g线、h线、i线的复合波长时，由于掩膜对于各个波长的透射率不同，因此当如FPD那样以大面积作为对象来进行曝光处理时，在高精细化的图案化中会产生因遮光或相移而产生的不良，其结果是产生无法应对高精细的问题。

另外，当欲应对高精细而限定特定的波长来进行与高精细相对应的处理时，无法有效地利用其他波长区域的光，而存在处理效率降低且制造成本增大的问题。

发明内容

本发明所涉及的实施方式是为了解决上述问题而完成的，目的在于提供一种相移掩膜及其制造方法，能够如FPD制造那样有效地在大面积下形成微细且高精度的曝光图案。

(1)本发明所涉及的一实施方式的相移掩膜的制造方法包括：在透明基板上形成经图案化的以Cr为主要成分的遮光层的工序；以及通过在含有惰性气体、氮化性气体、及氧化性气体的混合气体的气氛下对铬系材料的靶进行溅射，从而形成以Cr为主要成分的相移层并进行图案化的工序，且该相移层具有对于i线为大致180°的相位差，并且可将所述混合气体中的所述氧化性气体设为6.5％以上且小于9.2％、将所述混合气体中的所述氮化性气体设为40％以上且90％以下、并将g线的透射率与所述i线的透射率之差设为5％以下。

(2)在上述(1)的实施方式中，可以将所述混合气体中的所述氮化性气体设为40％以上且70％以下来形成所述相移层。