[发明专利]用于制造光电子器件的方法有效
| 申请号： | 201380050764.5 | 申请日： | 2013-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN104704642B | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 西格弗里德·赫尔曼;诺温·文马尔姆 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/00;H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张春水;高少蔚 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种光电子器件和一种用于制造光电子器件的方法，其中在生长衬底上生长层结构，所述层结构具有正掺杂的半导体层(2或3)和负掺杂的半导体层(3或2)连同用于产生光的有源区以及镜层(4)，其中所述层结构经由连接层(8)固定在载体(10)的第一侧上，并且其中经由载体(10)的第二侧引入用于层结构的电接触部，并且去除生长衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 光电子 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造光电子器件的方法，其中在生长衬底(1)上生长层结构，所述层结构具有第一半导体层(2)、第二半导体层(3)，并且具有用于产生光的有源区(16)，其中将镜层(4)施加到背离所述生长衬底的所述第二半导体层上，其中所述层结构经由连接层(8)固定在载体(10)的第一侧上，其中经由所述载体的第二侧引入用于所述层结构的接触盘(18，19)，其中将第一凹部(14)引入到所述载体(10)、所述连接层(8)和所述第二半导体层(3)中，使得所述第一凹部邻接所述第一半导体层(2)，其中将用于电接触所述第一半导体层(2)的第一接触盘(18)引入到所述第一凹部中，以至于所述第一接触盘延伸穿过所述载体(10)、所述连接层(8)和所述第二半导体层(3)进入到所述第一半导体层(2)中，并且其中去除所述生长衬底。
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