[发明专利]具有通过控制栅极的连接件的存储器阵列有效

专利信息
申请号: 201380049490.8 申请日: 2013-08-29
公开(公告)号: CN104662660B 公开(公告)日: 2018-03-27
发明(设计)人: 丹沢彻;村越有;迪帕克·蒂梅高达 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: H01L27/11573 分类号: H01L27/11573;H01L27/11582;H01L27/11556;H01L27/11548;H01L27/11575;H01L27/11568;H01L27/11521;H01L27/11529;H01L29/792;G11C16/04;H01L21/336
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 代理人: 路勇
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一些实施例包含设备及方法,其具有衬底;存储器单元串,其包含主体;选择栅极,其位于所述设备的一层级中且沿所述主体的一部分而定位;及控制栅极,其位于所述设备的其它层级中且沿所述主体的其它相应部分而定位。此类设备中的至少一者包含将所述选择栅极或所述控制栅极中的一者耦合到所述衬底中的组件(例如晶体管)的导电连接件。所述连接件可包含通过所述控制栅极中的至少一者的一部分的一部分。
搜索关键词: 具有 通过 控制 栅极 连接 存储器 阵列
【主权项】:
一种存储器设备,其包括:衬底;存储器单元串,其包含主体及位于所述设备的不同层级中的存储器单元;第一导电材料,其位于所述衬底上方,所述第一导电材料为与所述存储器单元串关联的选择栅极的部分且包含与所述主体的第一部分相对的一部分;第二导电材料,其位于所述衬底上方,所述第二导电材料为与所述存储器单元串关联的控制栅极的部分且包含与所述主体的第二部分相对的一部分;第一连接件,其耦合到所述第一导电材料的第一接触区域且耦合到位于所述第一导电材料与所述衬底之间的第一导电接触件,所述第一连接件包含通过所述控制栅极的一部分的一部分且所述第一连接件不通过所述选择栅极;及第二连接件,其耦合到所述第二导电材料的第二接触区域且耦合到位于所述第二导电材料与所述衬底之间的第二导电接触件,其中所述第二连接件包含介于所述第一接触区域与所述第二接触区域之间且从所述设备的一个层级延伸到另一层级的分段。
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