[发明专利]径向纳米线江崎二极管装置和方法有效
| 申请号： | 201380036099.4 | 申请日： | 2013-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN104603952B | 公开（公告）日： | 2017-07-21 |
| 发明（设计）人： | L-E.维尔纳松;E.林德;J.奥尔松;L.萨米尔松;M.比约克;C.舍兰德;A.迪 | 申请（专利权）人： | 昆南诺股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/885 | 分类号： | H01L29/885;B82Y10/00;H01L29/06;H01L31/0693 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 原绍辉,傅永霄 |
| 地址： | 瑞典*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 径向纳米线二极管装置包括第一导电类型的半导体芯和不同于第一导电类型的第二导电类型的半导体壳。该装置可以是TFET或太阳能电池。 | ||
| 搜索关键词： | 径向 纳米 线江崎 二极管 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种包括径向纳米线江崎二极管的装置，其中所述径向纳米线包括第一导电类型的半导体芯和不同于所述第一导电类型的第二导电类型的半导体壳；所述装置还包括：栅控径向纳米线江崎二极管；隧穿场效晶体管；以及，定位于所述壳周围的栅绝缘层和邻近于所述栅绝缘层定位的栅电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆南诺股份有限公司，未经昆南诺股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380036099.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
