[发明专利]有机电子器件制造技术在审

专利信息
申请号: 201380035197.6 申请日: 2013-06-27
公开(公告)号: CN104412405A 公开(公告)日: 2015-03-11
发明(设计)人: J·伯勒斯 申请(专利权)人: 剑桥显示技术有限公司
主分类号: H01L51/00 分类号: H01L51/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 王海宁
地址: 英国*** 国省代码: 英国;GB
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摘要: 我们描述了一种制造有机电子器件的方法,该方法包括:提供中间阶段基底(200),该基底承载所述有机电子器件的多个材料层,这些层包括与所述有机电子器件中的至少一个有机层热接触的至少一个导电层;通过感应加热所述导电材料以便加热所述至少一个有机层来处理所述中间阶段基底,从而产生经处理的基底;和使用所述经处理的基底来提供所述有机电子器件。
搜索关键词: 有机 电子器件 制造 技术
【主权项】:
一种制造有机电子器件的方法,该方法包括:提供中间阶段基底,该基底承载所述有机电子器件的多个材料层,这些层包括与所述有机电子器件中的至少一个有机层热接触的至少一个导电层;通过感应加热所述导电材料以便加热所述至少一个有机层来处理所述中间阶段基底,从而产生经处理的基底;和使用所述经处理的基底来提供所述有机电子器件。
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