[发明专利]高电压正极活性材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201380030573.2 | 申请日： | 2013-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN104364943B | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | 朴炳天;姜成勋;姜玟锡;郑王谟;申昊锡;朴商珉;闵根基 | 申请（专利权）人： | 株式会社LG化学 |
| 主分类号： | H01M4/525 | 分类号： | H01M4/525;H01M4/505;H01M4/62;H01M4/131 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 杨海荣,穆德骏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文中公开了一种高电压正极活性材料及其制备方法。所述正极活性材料包含具有由式(1)表示的组成的尖晶石型化合物的粒子和存在于所述尖晶石型化合物的粒子的表面上的碳基材料Li1+a MxMn2‑xO4‑zAz (1)其中‑0.1≤a≤0.1，0.3≤x≤0.8且0≤z≤0.1。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 正极 活性 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种正极活性材料，包含：具有由式(1)表示的组成的尖晶石型化合物的粒子；和存在于所述尖晶石型化合物的粒子的表面上的碳基材料，其中所述碳基材料的平均粒径D50等于或大于2nm且等于或小于500nm：Li1+aMxMn2‑xO4‑zAz (1)其中M为选自如下的至少一种：Ni，Ti，Co，Al，Cu，Fe，Mg，B，Cr，Zr，Zn和第II周期过渡金属，A为一价阴离子或二价阴离子，以及‑0.1≤a≤0.1，0.3≤x≤0.8且0≤z≤0.1，其中所述碳基材料覆盖式(1)的尖晶石型化合物的全部表面的等于或大于50％且等于或小于80％。
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