[发明专利]具有线形翅片场效应结构的电路有效
| 申请号： | 201380013824.6 | 申请日： | 2013-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN104303263A | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | S.T.贝克;M.C.斯梅林;D.甘地;J.马利;C.朗贝尔;J.R.匡特;D.福克斯 | 申请（专利权）人： | 特拉创新公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张涛;陈岚 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 第一晶体管具有在第一扩散翅片内的源极区域和漏极区域。所述第一扩散翅片从衬底的表面突出。所述第一扩散翅片在第一方向上纵向地从所述第一扩散翅片的第一端延伸到第二端。第二晶体管具有在第二扩散翅片内的源极区域和漏极区域。所述第二扩散翅片从所述衬底的所述表面突出。所述第二扩散翅片在第一方向上纵向地从所述第二扩散翅片的第一端延伸到第二端。所述第二扩散翅片被定位成挨着所述第一扩散翅片并且与所述第一扩散翅片间隔开。所述第二扩散翅片的所述第一端或所述第二端被定位在所述第一方向上在所述第一扩散翅片的所述第一端与所述第二端之间。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 线形 场效应 结构 电路 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；第一晶体管，具有在第一扩散翅片内的源极区域和漏极区域，所述第一扩散翅片被构造为从所述衬底的表面突出，所述第一扩散翅片被构造为：在第一方向上纵向地从所述第一扩散翅片的第一端延伸到所述第一扩散翅片的第二端；第二晶体管，具有在第二扩散翅片内的源极区域和漏极区域，所述第二扩散翅片被构造为从所述衬底的所述表面突出，所述第二扩散翅片被构造为：在所述第一方向上纵向地从所述第二扩散翅片的第一端延伸到所述第二扩散翅片的第二端，所述第二扩散翅片被定位成挨着所述第一扩散翅片旁边并且与所述第一扩散翅片间隔开，其中，所述第二扩散翅片的所述第一端或所述第二端被定位成在所述第一方向上在所述第一扩散翅片的所述第一端与所述第二端之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
